1500V 高压 MOS 分立器件 ◆导通电阻低; ◆开关速度快; ◆雪崩耐量高; 了解更多
RC (逆导) IGBT 分立器件 ◆IGBT/FWD集于同一芯片; ◆通态压降低; ◆可靠性高; ◆成本低; 了解更多
M3i-低饱和压降型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技术; ◆软开通特性,开通 di/dt 小,EMI 低; ◆低饱和压降,导通损耗??; ◆关断拖尾电流小,软关断特性; ◆正温度系数,适合并联; ◆高的短路电流能力(6us以上); ◆开关速度快,开关损耗??; ◆TVj max 达175℃; 了解更多
GTU-快速型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技术; ◆软开通特性,开通 di/dt 小,EMI 低; ◆关速度快,关损耗小 ◆关断拖尾电流小,软关断特性; ◆正温度系数,适合并联; ◆高的短路电流能力(6us以上); ◆开关速度快,开关损耗??; ◆TVj max 达175℃; 了解更多
应用方案
应用笔记
行业信息
国家集成电路产业投资基金股份有限… 7月12日,国家集成电路产业投资基金股份有限公司总裁、中国高端芯… 2018-07-16 了解更多
我司“国产新型RC IGBT芯片及… 2018年主题为“创新促发展,创业赢未来”的常州市创新创业大赛,… 2018-07-06 了解更多
“宏微-北汽新能源IGBT联合实… 1月末,“2018北汽新能源全球伙伴大会”在北京举行,我司董事长赵… 2018-02-22 了解更多